新技術(shù)讓光通量翻翻的氮化鎵LED
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據物理學(xué)家組織網(wǎng)3月20日報導,美國北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的科學(xué)家日前開(kāi)宣布一種新技能,可以在不添加用電量的情況下大幅進(jìn)步發(fā)光二極管(LED)的亮度。與此同時(shí),憑借一種特別的涂層資料,這種新式LED與一般LED商品比較更為安穩,適應性更強。有關(guān)論文在線(xiàn)宣布在世界聞名化學(xué)期刊《朗繆爾(Langmuir)》上。
論文榜首作者、美國北卡羅來(lái)納州立大學(xué)博士斯圖爾特·威爾金斯稱(chēng),他們是經(jīng)過(guò)在極性氮化鎵半導體上涂布一種自組磷酸基涂層的方法來(lái)完成這一意圖的。
研究人員首要經(jīng)過(guò)多層自拼裝技能用氮和鎵制造出氮化鎵。而后又添加了包括有機磷分子的磷酸基,將其涂布在氮化鎵資料的表面上。氮化鎵半導體的運用進(jìn)步了LED的發(fā)光功率,磷酸基資料則確保了氮化鎵的安穩性,使其不易與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)作化學(xué)反應,削減其在溶液中被溶解的能夠。
“進(jìn)步氮化鎵的安穩性是非常重要的?!蓖柦鹚拐f(shuō),“由于這能為新技能將來(lái)在生物醫學(xué)范疇創(chuàng )造條件。例如,植入式傳感器?!?/span>
據了解,與市場(chǎng)上常見(jiàn)的硅半導體LED比較,氮化鎵半導體可進(jìn)步光輸出。如果在相同的電力耗費下,硅半導體LED的光通量能到達1000流明,氮化鎵半導體LED的光通量將能到達2000流明以上。因而,根據氮化鎵半導體的LED發(fā)光功率更高,更節能。此外,與硅半導體LED比較,氮化鎵半導體LED體積小、重量輕,更易完成集成。
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