? ? ? ??因為藍寶石基板的導熱系數差,影響LED的發(fā)光功率。為了處置LED的散熱難題,將來(lái)有可能將首要選用筆直布局LED的架構,促進(jìn)LED工業(yè)的技能發(fā)展。關(guān)于筆直布局LED技能信任咱們都有所耳聞,下面僅從技能表層進(jìn)行介紹,謹供參閱。
? ? ? 咱們曉得,LED芯片有兩種根本布局,橫向布局(Lateral)和筆直布局(Vertical)。橫向布局LED芯片的兩個(gè)電極在LED芯片的同一側,電流在n-和p-類(lèi)型約束層中橫向活動(dòng)不等的間隔。筆直布局的LED芯片的兩個(gè)電極分別在LED外延層的兩邊,因為圖形化電極和悉數的p-類(lèi)型約束層作為第二電極,使得電流簡(jiǎn)直悉數筆直流過(guò)LED外延層,很少橫向活動(dòng)的電流,能夠改進(jìn)平面布局的電流散布疑問(wèn),進(jìn)步發(fā)光功率,也能夠處置P極的遮光疑問(wèn),進(jìn)步LED的發(fā)光面積。
? ? ?咱們先來(lái)知道下筆直布局LED的制作技能與根本辦法:
? ? ?制作筆直布局LED芯片技能首要有三種辦法:
一、選用碳化硅基板成長(cháng)GaN薄膜,長(cháng)處是在一樣操作電流條件下,光衰少、壽命長(cháng),不足處是硅基板會(huì )吸光。
二、使用芯片黏合及剝離技能制作。長(cháng)處是光衰少、壽命長(cháng),不足處是須對LED表面進(jìn)行處置以進(jìn)步發(fā)光功率。
三、是選用異質(zhì)基板如硅基板成長(cháng)氮化鎵LED磊晶層,長(cháng)處是散熱好、易加工。
? ? ??不剝離導電砷化鎵成長(cháng)襯底:在導電砷化鎵成長(cháng)襯底上層迭導電DBR反射層,成長(cháng) GaP 基LED外延層在導電DBR反射層上。
? ? ?剝離砷化鎵成長(cháng)襯底:層迭反射層在GaP基LED外延層上,鍵合導電撐持襯底,剝離砷化鎵襯底。導電撐持襯底包含,砷化鎵襯底,磷化鎵襯底,硅襯底,金屬及合金等。
別的,成長(cháng)在硅片上的筆直GaN基LED也有兩種布局:
剝離硅成長(cháng)襯底:層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上,在金屬反射層上鍵合導電撐持襯底,剝離硅成長(cháng)襯底。
? ? 再簡(jiǎn)略闡明制作筆直氮化鎵基 LED 技術(shù)流程:層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上,在反射層上鍵合導電撐持襯底,剝離藍寶石成長(cháng)襯底。導電撐持襯底包含,金屬及合金襯底,硅襯底等。
? ? 無(wú)論是GaP基LED、GaN基LED,仍是ZnO基LED這一類(lèi)通孔筆直布局LED,比較傳統布局LED有著(zhù)較大的優(yōu)勢,具體表現在
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1、當前,現有的所有色彩的筆直布局LED:紅光LED、綠光LED、藍光LED及紫外光LED,都能夠制成通孔筆直布局LED有極大的使用商場(chǎng)。
2、所有的制作技術(shù)都是在芯片( wafer )水平進(jìn)行的。
3、因為無(wú)需打金線(xiàn)與外界電源相聯(lián)合,選用通孔筆直布局的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因而,能夠用于制作超薄型的器材,如背光源等。
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